[发明专利]一种消除气体超声波流量计零点漂移的电路设计方法有效

专利信息
申请号: 201710036416.2 申请日: 2017-01-17
公开(公告)号: CN106768106B 公开(公告)日: 2018-08-31
发明(设计)人: 郑丹丹;杨智斌;付星熠 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G01F1/66 分类号: G01F1/66
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 程毓英
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种消除气体超声波流量计零点漂移的电路设计方法,所设计的发射电路包括两个控制信号源V1、V2;变比为1:3的高频变压器T1;四个功率MOSFET:M1、M3为P沟道增强型MOSFET,M2、M4为N沟道增强型MOSFET;V1与M1、M4管的g端口连接,V2与M2、M3管的g端口连接;M1、M3管的s端口与电源正极相连接,d端口连接在高频变压器T1的两端,M2、M4管的s端口接地,d端口连接至高频变压器T1;通过控制信号源V1、V2输出电平的高低,控制四个功率MOSFET管的导通情况;发射匹配电阻RS、第一模拟开关S以及换能器串联连接在变压器副边;本发明可以消除零点误差和零点漂移,提高超声流量计测量精度。
搜索关键词: 一种 消除 气体 超声波流量计 零点 漂移 电路设计 方法
【主权项】:
1.一种消除气体超声波流量计零点漂移的电路设计方法,包括下列步骤:1)选取变比为1:3的高频变压器,设计气体超声波流量计互易性发射电路:发射电路包括两个控制信号源V1、V2;变比为1:3的高频变压器T1;四个功率MOSFET:M1,M2,M3,M4,其中,M1、M3为P沟道增强型MOSFET,称为第一组MOSFET,M2、M4为N沟道增强型MOSFET,称为第二组MOSFET;两组MOSFET导通时的导通阻值之和是相同的;V1与M1、M4管的g端口连接,V2与M2、M3管的g端口连接;M1、M3管的s端口与电源正极相连接,d端口连接在高频变压器T1的主边两端,M2、M4管的s端口接地,d端口连接至高频变压器T1的主边两端;通过控制信号源V1、V2输出电平的高低,控制四个功率MOSFET管的导通情况;发射匹配电阻RS、第一模拟开关S以及换能器串联连接在变压器副边;第一模拟开关S开关状态由处理器输出信号V0控制,导通电阻为RA,用以切换换能器;根据高频变压器的变比和两组MOSFET导通时的导通阻值之和,计算变压器副边的等效阻抗RM;2)设计气体超声波流量计互易性接收电路:在接收电路中使用的模拟开关,称为第二模拟开关,与发射电路使用的第一模拟开关相同;接收电路包括第二模拟开关S和后续的电压跟随电路,换能器与第二模拟开关S串联后和匹配电阻RL一起并联连接在运算放大器的正向输入端;第二模拟开关S的开关状态由处理器输出信号V3控制,用以切换换能器;运算放大器的输出端通过反馈电阻R连接至运算放大器的反向输入端,形成负反馈;3)设置匹配电阻阻值:设置合适的值使RS+RM与RL的值相等,即可满足互易性测量的阻抗匹配条件,实现阻抗匹配,忽略小阻值RM,匹配合适的RS与RL的值,匹配阻值设置为RS=RL=2KΩ。
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