[发明专利]一种以高纯致密氧化镁为靶材制备MgO薄膜的方法在审
| 申请号： | 201710036803.6 | 申请日： | 2017-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN106893976A | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 王海燕 | 申请（专利权）人： | 东莞市佳乾新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以高纯致密氧化镁为靶材制备MgO薄膜的方法，包括以下步骤(1)将氧化镁粉末研磨后，过筛，将过筛后的粉末进行冷等静压(CIP)成型，制得压坯，将压坯在520℃首先进行预烧结，之后抽真空升温进行烧结，烧结完成后，制得高纯致密氧化镁材料；(2)以上一步骤制得的高纯致密氧化镁材料为靶材，在直流磁控溅射装置的反应室中进行MgO薄膜的生长，反应完成取出MgO薄膜。本发明所述的方法使用高纯致密氧化镁为靶材，制备的MgO薄膜具有良好的电学、光学性能，厚度分布均匀，质量高无缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 致密 氧化镁 制备 mgo 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种以高纯致密氧化镁为靶材制备MgO薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将氧化镁粉末加入大理石研磨器中，加入研磨球，以180‑280rpm的速度旋转研磨，每隔30min转换研磨方向，研磨12‑16h后，粉末取出，过筛，将过筛后的粉末进行冷等静压(CIP)成型，制得压坯，将压坯在520℃首先进行预烧结，之后抽真空升温进行烧结，烧结完成后，制得高纯致密氧化镁材料；(2)以上一步骤制得的高纯致密氧化镁材料为靶材，在直流磁控溅射装置的反应室中放入清洗过的衬底，抽真空至真空度＜1Pa后，加热衬底至450‑550℃，通入Ar气，控制反应室内压强为1‑3Pa，在90‑110W功率下进行MgO薄膜的生长，反应完成后降至室温，通入大气，取出MgO薄膜。
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