[发明专利]高光出射效率的LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710037478.5 | 申请日： | 2017-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN107068826A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 郭亚楠;张韵;闫建昌;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/46;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 乔东峰 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高光出射效率的LED芯片及其制备方法，涉及半导体制备技术领域。本发明提出的LED芯片包括发光台、以及相邻发光台之间的多个刻蚀槽，可有效增大光线的出射面，改变LED芯片外延层中波导光的传播方向，增加光线的出射效率；另外，在刻蚀槽的底部或侧壁覆盖以反射层，可将外延层中的波导光反射到芯片底部，适用于背面出射的LED芯片，如倒装芯片和垂直芯片，满足了对多种类型LED芯片的适用。本发明还提出了相应LED芯片的制备方法，制备工艺简单易行成本低廉，有利于该种LED芯片的制备和产业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 高光出射 效率 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，包括：衬底，以及衬底上的发光台，所述的发光台自下而上依次包括：n型层、发光层、p型层，所述的n型层和p型层共同作用使得所述的发光层产生光线，相邻发光台之间具备刻蚀槽，用于提高光线的出射效率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710037478.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
