[发明专利]一种用于汞离子检测的适配体传感器及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种用于汞离子检测的适配体传感器及其制备方法和应用。所述的传感器包括基底玻碳电极，基底玻碳电极表面沉积有纳米金颗粒，纳米金颗粒表面修饰己二硫醇，纳米金‑适配体结合物通过Au‑S键的自组装作用修饰到电极表面的纳米金颗粒上。由于采用了双层纳米金修饰，具有较强的放大效应，因此检测汞离子的灵敏度超高，可达1.1pg/mL，线性范围为5～2000pg/mL；同时由于所采用适配体具有很强的特异性，因此抗干扰能力强，200倍浓度的Ag⁺、Ba²⁺、Cd²⁺、K⁺、Na⁺、Pb²⁺、Cu²⁺等离子均无干扰。

主权项

1.一种用于汞离子检测的适配体传感器，包括基底玻碳电极，其特征在于，所述基底玻碳电极表面沉积有纳米金颗粒，纳米金颗粒表面修饰己二硫醇，纳米金‑适配体结合物通过Au‑S键的自组装作用修饰到电极表面的纳米金颗粒上；所述用于汞离子检测的适配体传感器的制备方法包括以下步骤：(1)将清洁干净的基底玻碳电极浸入氯金酸溶液中，采用恒电位法将氯金酸电化学还原为纳米金颗粒从而沉积于玻碳电极表面；(2)将沉积纳米金颗粒的玻碳电极置于摩尔浓度为1mmol/L的己二硫醇溶液中，通过自组装的方法在纳米金颗粒表面修饰己二硫醇；(3)在经步骤(2)处理过的电极表面滴涂纳米金‑适配体结合物，通过Au‑S键的自组装作用将纳米金‑适配体修饰到电极表面的纳米金颗粒上，制得纳米金/己二硫醇/纳米金/适配体修饰的适配体传感器。