[发明专利]一种用于增强低辐射镀膜玻璃耐钢化性能的方法在审
| 申请号： | 201710038453.7 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN106746730A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 唐晶;武瑞军;宋保柱;米永江 | 申请（专利权）人： | 吴江南玻华东工程玻璃有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 孙仿卫,陈婷婷 |
| 地址： | 215222 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于增强低辐射镀膜玻璃耐钢化性能的方法，其中在玻璃制备的过程中，磁控镀设沉积底层氮化硅层及中间氮化硅层时采用氩气比例多、氮气比例少的氩气‑氮气混合气体作为反应气体，在磁控镀设沉积顶层氮化硅层时采用氩气比例较少、氮气比例较高的氩气‑氮气混合气体作为反应气体，改善各膜层内的应力分布情况，使得获得的双银低辐射玻璃产品的膜层的耐钢化性能有了大幅提升，在经过长时间的加热后膜面仍然能够完好无损。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 增强 辐射 镀膜 玻璃 化性 方法 | ||
【主权项】：
一种用于增强低辐射镀膜玻璃耐钢化性能的方法，所述低辐射镀膜玻璃包括玻璃基体和依次镀设在所述玻璃基体表面上的底层氮化硅层、第一复合膜层、中间氮化硅层、第二复合膜层、顶层氮化硅层，其特征在于：在磁控溅射所述底层氮化硅层、中间氮化硅层及所述顶层氮化硅层时，均采用硅铝质量比为90:10的硅铝靶作为靶材，并以氩气与氮气的混合气体作为反应气体，其中，在磁控溅射沉积所述底层氮化硅层时，反应气体中氩气与氮气的流量比为Ar：N2=1.5：1～1.1：1；在磁控溅射沉积所述中间氮化硅层时，反应气体中氩气与氮气的流量比为Ar：N2=1.5：1～1.1：1；在磁控溅射沉积所述顶层氮化硅层时，反应气体中氩气与氮气的流量比为Ar：N2=1：1～1：2。
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