[发明专利]掩膜版图形的修正方法有效
| 申请号： | 201710038509.9 | 申请日： | 2017-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN108333865B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 杜杳隽;李亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/44 | 分类号： | G03F1/44;G03F1/72 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掩膜版图形的修正方法，包括：提供芯片图形区，芯片图形区包括若干主图形；基于经验规则在各主图形周围的芯片图形区中设置第一辅助图形后，对芯片图形区进行第一光学邻近修正，使若干主图形修正为第一修正图形；在芯片图形区内设置若干个检测区，各个检测区连接相邻第一修正图形并经过第一辅助图形；对芯片图形区进行模拟曝光，获取模拟曝光后对应各个检测区的光强分布；根据辅助图形修正模型和获得的各个检测区的光强分布，将第一辅助图形修正为第二辅助图形；在获取第二辅助图形后，对第一修正图形进行第二光学临近修正，获取第二修正图形。所述方法对各个区域的散射条充分进行了优化，且提高了第二辅助图形的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 版图 修正 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜版图形的修正方法，其特征在于，包括：提供芯片图形区，所述芯片图形区包括若干主图形；基于经验规则在各主图形周围的芯片图形区中设置第一辅助图形后，对所述芯片图形区进行第一光学邻近修正，使若干主图形修正为第一修正图形；在芯片图形区内设置若干个检测区，各个检测区连接相邻第一修正图形并经过第一辅助图形；对所述芯片图形区进行模拟曝光，获取模拟曝光后对应各个检测区的光强分布；根据辅助图形修正模型和各个检测区的光强分布，将所述第一辅助图形修正为第二辅助图形；在获取第二辅助图形后，对第一修正图形进行第二光学临近修正，获取第二修正图形。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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