[发明专利]一种硅的深沟槽形成方法和半导体结构在审
| 申请号： | 201710038632.0 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN106876322A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 邹浩;丁振宇;夏爱华;刘志攀;陈幸 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/311;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 杨立,陈璐 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明特别涉及一种硅的深沟槽形成方法和半导体结构。方法包括在半导体硅晶片上沉积硬质掩膜层；对所述硬质掩膜层的预设区域进行刻蚀直到露出所述半导体硅晶片，在所述硬质掩膜层中形成至少一个纵切面为倒梯形的图形；以所述硬质掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体硅晶片,在所述半导体硅晶片中与所述纵切面为倒梯形的图形对应位置形成深沟槽；去除所述硬质掩膜层，直至露出半导体硅晶片的上表面。本发明通过半导体硅晶片上形成倒梯形图形的硬质掩膜层作为掩膜，刻蚀半导体硅晶片可以在半导体硅晶片上得到更小和更深的沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深沟 形成 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种硅的深沟槽形成方法,其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在半导体硅晶片上沉积硬质掩膜层；步骤2，对所述硬质掩膜层的预设区域进行刻蚀直到露出所述半导体硅晶片，在所述硬质掩膜层中形成至少一个纵切面为倒梯形的图形；步骤3，以所述硬质掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体硅晶片,在所述半导体硅晶片中与所述纵切面为倒梯形图形对应位置形成深沟槽；步骤4，去除所述硬质掩膜层，直至露出半导体硅晶片的上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
