[发明专利]一种垂直结构ZnMgO自驱动日盲紫外光电探测器面阵及其制备方法

摘要

本发明公开一种垂直结构ZnMgO自驱动日盲紫外光电探测器面阵及其制备方法，具体是指在透明衬底上生长一层超宽带隙、高载流子浓度的掺杂ZnxMg1‑xO薄膜作为透明导电窗口层；再生长一层日盲带隙、低载流子浓度的掺杂ZnyMg1‑yO薄膜作为n型层；进而生长一层NizMg1‑zO薄膜作为p型层；刻蚀掉部分p型层和n型层，露出部分透明导电窗口层；在露出的透明导电窗口层上制备n型环形共电极，在p型层上制备p型阵列电极；最终获得垂直结构ZnMgO自驱动日盲紫外光电探测器面阵。本发明利用ZnyMg1‑yO/NizMg1‑zO异质pn结实现日盲紫外信号的自驱动探测；利用超宽带隙透明导电窗口层大大提高器件的光电性能；探测器为垂直结构，通过制备共电极和阵列电极可实现面阵的制备，并应用于日盲紫外信号的成像和追踪。

主权项

一种垂直结构ZnMgO自驱动日盲紫外光电探测器面阵的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1）在透明衬底（1）上生长一层超宽带隙、高载流子浓度的掺杂ZnxMg1‑xO薄膜，作为透明导电窗口层（2）；2）在透明导电窗口层（2）上面生长一层日盲带隙、低载流子浓度的掺杂ZnyMg1‑yO薄膜，作为n型层（3）；3）在n型层（3）上面生长一层NizMg1‑zO薄膜，作为p型层（4）；4）利用光刻掩模结合刻蚀的方法刻蚀掉部分的p型层（4）和n型层后，露出部分透明导电窗口层（2）；5）再结合光刻掩模和真空镀膜方法在步骤4）所露出的透明导电窗口层（2）上制备n型环形共电极（5），在p型层（4）上制备p型阵列电极；最终制备获得垂直结构ZnMgO自驱动日盲紫外光电探测器面阵。