[发明专利]一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法有效
申请号: | 201710039206.9 | 申请日: | 2017-01-19 |
公开(公告)号: | CN106920777B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 王凡 | 申请(专利权)人: | 上海宝芯源功率半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/8234 | 分类号: | H01L21/8234;H01L21/28;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/417 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法,该开关器件包括:P+型衬底及P‑型外延层;N型阱区;两个P型阱区;两个栅极结构;共用的N‑型漂移区,形成于两个栅极结构之间;N型源区及P+型接触区;介质层,所述介质层中打开有两个源区接触窗口及一体区接触窗口,所述体区接触窗口内的所述P‑型外延层被去除形成直至所述P+型衬底的沟槽;以及填充于所述源区接触窗口、体区接触窗口及所述沟槽内的电极材料。本发明采用共用漂移区的方式构建MOSFET器件,使得漂移区区域电阻可以大大降低,同时保证耐压不变。将其中一个源区电极通过与体区电极的方式引到芯片背面,封装时可与基底焊接,省掉一个打线电阻,在极低的内阻要求下非常有效。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 保护 开关 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种用于锂电保护的开关器件的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括步骤:1)提供一P+型衬底,于所述P+型衬底表面形成P‑型外延层;2)于所述P‑型外延层中形成N型阱区;3)于所述N型阱区中形成相隔排列的两个P型阱区;4)制作出两个栅极结构,各栅极结构横跨于N型阱区及P型阱区之间;5)于两个栅极结构之间形成N‑型漂移区;6)于所述两个栅极结构两侧的P型阱区中分别形成N型源区及P+型接触区;7)于器件表面形成介质层,于所述介质层中打开两个源区接触窗口及一体区接触窗口,且基于所述体区接触窗口刻蚀所述P‑型外延层形成直至所述P+型衬底的沟槽;8)于所述源区接触窗口、体区接触窗口及所述沟槽内填充电极材料形成两源区电极及一体区电极,并制作金属层使得其中一个源区电极及体区电极相连,完成开关器件的电性引出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造