[发明专利]沉积CsPbBr3纳米片薄膜光电探测器的制备方法

摘要

沉积CsPbBr3纳米片薄膜光电探测器的制备方法，将CsPbBr3纳米片十八烯溶液离心清洗后，分散到有机溶剂中；将多片图形化金叉指电极排列放在容器内，加入CsPbBr3纳米片有机溶剂分散液；容器敞口放置直到所有的有机溶剂完全蒸发，将沉积CsPbBr3纳米片的金叉指电极热退火后，连接到TO‑5管壳的引脚上，完成光电探测器的制备。本发明采用溶液静置自组装方法制备CsPbBr3纳米片薄膜，可以在容器内同时在多片电极上沉积，提高材料的利用率，同时保证CsPbBr3纳米片薄膜的大面积均匀性和致密性，该方法灵活可控，最终制得长时间稳定的、高性能的CsPbBr3纳米片薄膜光电探测器。

主权项

1.沉积CsPbBr3纳米片薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：1)将浓度为10mg/mL的CsPbBr3纳米片十八烯溶液离心清洗后，分散到有机溶剂中得到CsPbBr3纳米片有机溶剂分散液；其中，CsPbBr3纳米片的横向长度为500nm；2)将容器放到减震台面上，然后将10片图形化金叉指电极排列放在容器内，加入CsPbBr3纳米片有机溶剂分散液；3)容器敞口放置直到所有的有机溶剂完全蒸发，得到沉积CsPbBr3纳米片薄膜的金叉指电极；其中，CsPbBr3纳米片薄膜的厚度为1.2微米；4)将沉积CsPbBr3纳米片的金叉指电极热退火后，得到芯片；5)将制备好的芯片连接到标准TO‑5管壳的引脚上，然后把开有石英窗的管帽粘结到底座上，完成光电探测器的制备；所述步骤1)中离心清洗的转速为500～5000rpm，离心清洗的次数为1～5次；所述步骤1)中有机溶剂为正己烷与甲苯的混合物，或正己烷与正辛烷的混合物；所述步骤2)中CsPbBr3纳米片有机溶剂分散液的浓度为0.001～0.5g/mL；所述步骤3)中蒸发的温度为10～50℃；所述步骤4)中热退火的气氛为空气、氮气或氩气；所述步骤4)中热退火的温度为50～200℃，热退火的时间为0.5～2h；图形化金叉指电极通过以下方法制得：在不同的基底上通过光刻工艺制备间距为25微米的图形化金叉指电极；所述基底为硅片、玻璃片、石英玻璃片或柔性基底；硅片基底尺寸为5×5mm2，叉指电极间距为25微米，沟道有效面积是1.5mm2。