[发明专利]后栅型半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种后栅型半导体器件的制造方法，在用于消除高K栅介质层缺陷的第一次退火之后，首先，在所述高K栅介质层表面依次形成富氧材料层和吸氧材料层，并进行第二次退火，在第二次退火过程中，所述富氧材料层中的部分氧扩散到所述高K栅介质层中，从而减少所述高K栅介质层中的氧空位缺陷，保证了高K栅介质层的性能，而所述吸氧材料层能吸附所述富氧材料层中的氧，防止过多的氧扩散进入高K栅介质层和层间介质层而使层间介质层变厚,影响器件性能；其次，在移除吸氧材料层和富氧材料层后进行第三次退火，以重新激活源漏区离子的活性，减小源漏区的电阻，提高晶体管的性能。

主权项

1.一种后栅型半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体表面上形成有层间介质层，所述层间介质层中形成有栅槽，所述栅槽两侧的半导体衬底中形成有源漏区；在所述栅槽表面以及所述层间介质层表面沉积高K介质材料并进行第一次退火，形成高K栅介质层；在所述高K栅介质层表面依次形成富氧材料层和吸氧材料层，并进行第二次退火以将富氧材料层中的部分氧扩散到高K栅介质层中；去除所述吸氧材料层和富氧材料层，并进行第三次退火；在所述栅槽中形成金属栅极。