[发明专利]SCR静电保护器件及静电保护电路

摘要

本发明提供一种SCR静电保护器件及静电保护电路，所述SCR静电保护器件形成在绝缘层上的顶层半导体层的一个连续有源区中，具有围绕SCR的P掺杂区的两个N阱以及围绕SCR的N掺杂区的两个P阱，分别呈指状二极管结构，以形成SCR的寄生PNP三极管和寄生NPN三极管，且在邻近的N阱和P阱之间增加了邻接该N阱的额外的N掺杂区以及邻接该P阱的额外的P掺杂区，进而在该N阱和P阱之间制造了寄生的栅控二极管或PN结二极管，由此使得寄生PNP三极管的基极通过寄生的栅控二极管或PN结二极管连接到寄生NPN三极管的基极。本发明的SCR静电保护器件及静电保护电路，具有较低的SCR触发电压和较高的维持电压，能为SOI等工艺形成的集成电路提供静电保护。

主权项

1.一种SCR静电保护器件，形成于绝缘体上半导体结构中，所述绝缘体上半导体结构包括依次层叠的底层基底、绝缘埋层以及顶层半导体层，其特征在于，所述SCR静电保护器件形成于所述顶层半导体层的一个连续有源区中，包括依次横向排列并相互间隔设置的第一N阱、第二N阱、第一P阱、第二P阱；所述第一N阱和所述第二N阱之间设置有第一P型掺杂区，且所述第二N阱背向所述第一P型掺杂区的一侧邻接有第一N型掺杂区；所述第一P阱和所述第二P阱之间设置有第二N型掺杂区，且所述第一P阱背向所述第二N型掺杂区的一侧邻接有第二P型掺杂区；所述第一N型掺杂区和所述第二P型掺杂区直接相接，或者所述第一N型掺杂区依次邻接第三N型掺杂区、第三P型掺杂区以与所述第二P型掺杂区相接；所述第一N阱、所述第二N阱及所述第一P型掺杂区均连接至一第一电极，所述第一P阱、所述第二P阱及所述第二N型掺杂区均连接至一第二电极。