[发明专利]用于半导体激光器的可调脉宽式脉冲发生电路在审
| 申请号： | 201710041266.4 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN106898946A | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 陈少强;李鹏涛;田赟鹏;冉旭 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙)31215 | 代理人： | 徐筱梅,张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体激光器的可调脉宽式脉冲发生电路，它包括触发信号、雪崩晶体管脉冲产生电路及阶跃恢复二极管整形电路，所述触发信号、雪崩晶体管脉冲产生电路接收触发信号,阶跃恢复二极管整形电路与雪崩晶体管脉冲产生电路连接。本发明利用雪崩晶体管的雪崩特性以及阶跃恢复二极管的阶跃特性产生大幅度的窄脉冲信号。其脉冲宽度可低至165ps，且脉冲宽度可以调节，可以方便的应用于半导体激光器的驱动。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体激光器 可调 脉宽式 脉冲 发生 电路 | ||
【主权项】：
一种用于半导体激光器的可调脉宽式脉冲发生电路，其特征在于该电路包括：触发信号、雪崩晶体管脉冲产生电路及阶跃恢复二极管整形电路，雪崩晶体管脉冲产生电路接收触发信号，阶跃恢复二极管整形电路连接雪崩晶体管脉冲产生电路；其中：所述触发信号，幅度为3～8V，频率为32KHz～1.8MHz，上升沿为1ns；所述雪崩晶体管脉冲产生电路，包括：电容C1、雪崩晶体管Q1、电阻R1、电阻R2及电容C2，所述电容C1一端连接触发信号，另一端连接雪崩晶体管Q1的基极同时连接电阻R1的一端，电阻R1另一端接地；雪崩晶体管Q1的集电极连接电容C2的一端，同时连接电阻R2，电阻R2的另一端连接电源供电电压VCC；雪崩晶体管Q1发射极直接连接至地；电容C2的另一端连接至第一阶跃恢复二极管D1的正极，耦合输出信号至阶跃恢复二极管整形电路；所述阶跃恢复二极管整形电路，包括：第一阶跃恢复二极管D1、第二阶跃恢复二极管D2、电阻R3、电阻R4及电容C3，所述第一阶跃恢复二极管D1正极通过电阻R3连接至第一偏置电源VB1，其负极连接至地；第二阶跃恢复二极管D2正极通过电阻R4连接至第二偏置电源VB2，其负极连接至负载电阻RL；电容C3作为耦合电容连接第一阶跃恢复二极管D1的正极与第二阶跃恢复二极管D2的正极。
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