[发明专利]用于冷原子干涉型重力仪可快速开关恒流源

摘要

用于冷原子干涉型重力仪的快速开关恒流源，包括依次连接的TTL控制信号输入电路单元1、光电耦合电路单元2、MOSFET开关电路单元3、电源信号降噪电路单元4、恒流电路单元5和输出负载电路单元6；本发明具有电路结构简单、电流值稳定、开关响应延时短以及功耗小等优点；恒流源的电流源开启和关断时间可控制在微秒级别，恒流源的电流值偏差控制万分之一以内。

主权项

用于冷原子干涉型重力仪的快速开关恒流源，包括依次连接的TTL控制信号输入电路单元(1)、光电耦合电路单元(2)、MOSFET开关电路单元(3)、电源信号降噪电路单元(4)、恒流电路单元(5)和输出负载电路单元(6)；所述TTL控制信号输入电路单元(1)中，通过BNC接口将信号发生器的TTL信号接入信号输入端，高电平输出端和输入接线端2号引脚相连，低电平输出端和输入接线端1号引脚相连，输入接线端1号引脚和地相连；限流电阻R1的第一端引脚和TTL信号输入端的2号引脚相连；所述的光电耦合电路单元(2)中由光电耦合器U1和旁路电容C1构成，其中：光电耦合器U1的2号引脚和限流电阻R1的第二端相连，光电耦合器U1的3号引脚和地相连，光电耦合器U1的5号引脚和地相连，光电耦合器U1的8号引脚和电源信号相连；旁路电容C1的第一端和光电耦合器U1的8号引脚相连，旁路电容的第二端引脚和地相连；所述的MOSFET开关电路单元3中由限流电阻R2、旁路电容C4和MOSFET三极管Q1构成，其中：限流电阻R2的第一端和光电耦合器U1的8号引脚相连，限流电阻R2的第二端引脚和光电耦合器U1的6号引脚相连；旁路电容C4的第一端引脚和限流电阻R2的第二端引脚相连；旁路电容C4的第二端引脚和地相连；MOSFET三极管Q1的1号引脚和旁路电容C4的第一端引脚相连，MOSFET三极管Q1的2号引脚和输出负载接线端的2号引脚相连；MOSFET三极管Q1的3号引脚和地相连；所述的电源信号降噪电路单元(4)中由小电解电容C4和大电解电容C5构成，其中：小电解电容C4的第一端引脚和电源信号相连，小电解电容C4的第二端引脚和地相连；大电解电容C5的第一端引脚和电源信号相连，大电解电容C5的第二端引脚和地相连；所述的恒流电路单元(5)中由电容C2、电容C3、二极管D1、稳压芯片U2和采样电阻R3构成，其中：电容C2的第一端引脚和稳压芯片U2的1号引脚相连，电容C2的第二端引脚和稳压芯片U2的2号引脚相连；电容C3的第一端引脚和稳压芯片U2的3号引脚相连，电容C3的第二端和二极管D1的正极相连；二极管D1的负极和稳压芯片U2的2号引脚相连；采样电阻R3的第一端引脚和稳压芯片U2的3号引脚相连，采样电阻R3的第二端引脚和二极管D1的正极相连；所述的输出负载接线端1号引脚为电流输出口，2号引脚为电流输入口；大电解电容C5的第一端连接电容C2的第一端，采样电阻R3的第二端与输出负载的接线端的2号引脚相连。