[发明专利]一种在同一衬底上集成红绿蓝晶片的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710044325.3 申请日: 2017-01-19
公开(公告)号: CN106653962A 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 丁磊;彭友;陈龙 申请(专利权)人: 安徽连达光电科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L27/15;H01L21/027
代理公司: 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390 代理人: 胡剑辉
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供了一种在同一衬底上集成红绿蓝晶片的制备方法,其包括以下步骤首先将磊晶衬底粗化,在衬底上涂覆蚀刻胶,将事先做好的蓝光镂空光罩板放置在蚀刻胶上进行曝光,将曝光部分去除掉,再将衬底进行蓝光磊晶生长;再二次涂布一层光刻胶,将事先做好的绿光镂空光罩板放置在蚀刻胶上进行曝光,将曝光部分去除掉,然后磊晶生长;绿光磊晶完成后再第三次涂覆蚀刻胶,将事先做好的红光镂空光罩板放置在蚀刻胶上进行曝光,将曝光部分去除掉;放到绿光外延炉里磊晶生长,将蓝绿晶片作为一体进行裂片,得到统一衬底的RGB晶片。本发明通过在同一衬底上通过涂覆蚀刻胶、曝光、蚀刻镂空分别实现红、绿、蓝晶片磊晶生长,实现RGB微型化。
搜索关键词: 一种 同一 衬底 集成 红绿蓝 晶片 制备 方法
【主权项】:
一种在同一衬底上集成红绿蓝晶片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:首先将衬底粗化,在衬底上涂上一层大于10um耐高温的蚀刻胶,将事先做好的蓝光镂空光罩板放置在蚀刻胶上,通过曝光、显影、蚀刻将曝光部分去除掉;S2:再将蚀刻后的衬底放到蓝光外延炉里磊晶生长,蓝光磊晶完成后,再二次涂布一层光刻胶,将事先做好的绿光镂空光罩板放置在蚀刻胶上,通过曝光、显影、蚀刻将曝光部分去除掉;S3:然后将蚀刻后的衬底放到绿光外延炉里磊晶生长,绿光磊晶完成后再第三次涂覆蚀刻胶,将事先做好的红光镂空光罩板放置在蚀刻胶上,通过曝光、显影、蚀刻将曝光部分去除掉;S4:最后再将蚀刻后的衬底放到绿光外延炉里磊晶生长,最后通过蒸镀、电极制作、测试工艺将蓝绿晶片作为一体进行裂片,得到统一衬底的RGB晶片。
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