[发明专利]一种CoPtx纳米复合结构电磁存储器件及制备方法有效
| 申请号： | 201710045259.1 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106782639B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 李爱东;王来国;吴迪 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L45/00 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210023 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CoPtx纳米复合结构电磁存储器件，所述的电磁存储器件为叠层结构，所述的叠层从下之上依次为硅片、下电极、CoPtx磁性纳米晶层、氧化物薄膜阻变层、上电极；本发明的存储器具有优异的阻变存储功能，又具有磁记录特性，可实现高密度多态电磁存储功能；本发明还公开了其制备方法，该方法是在基于原子层沉积的多功能高密度电磁存储器件制备技术，与微电子工艺具有很好的兼容性，为未来产业化规模应用提供了可行性，且可以保障存储器件结构的均匀性、共形性和可控性，并与成熟的半导体工艺兼容，便于实现高密度多功能电磁存储器件与微电子器件集成，实现规模化、产业化的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 coptx 纳米 复合 结构 电磁 存储 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CoPtx纳米复合结构电磁存储器件，其特征在于，所述的电磁存储器件为叠层结构，所述的叠层从下之上依次为硅片、下电极、CoPtx磁性纳米晶层、氧化物薄膜阻变层、上电极，其中的CoPtx纳米晶作为下电极的一部分；所述的CoPtx磁性纳米晶层的纳米晶颗粒平均直径为3‑10nm，面密度为0.5～2×1012/cm2，化学式CoPtx中x取值在0.4‑1.2。
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