[发明专利]半导体装置的散热结构有效

专利信息
申请号: 201710045272.7 申请日: 2017-01-20
公开(公告)号: CN107301987B 公开(公告)日: 2019-11-05
发明(设计)人: 大村英一 申请(专利权)人: 欧姆龙株式会社
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨文娟;臧建明
地址: 日本京都府京都市下京区*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种具备能够适用于表面安装用薄型半导体装置的优异的散热性的半导体装置的散热结构。本发明的半导体元件(10)的散热结构(101),该半导体元件(10)具有与基板(20)电连接的电性接合面(11a)及其相反侧的散热面(11b),其中,散热面(11b)经由非绝缘零件(32)而接合或接触至散热片(31),并且该散热片(31)经由绝缘零件(41)而接合或接触至散热器(30)。
搜索关键词: 半导体 装置 散热 结构
【主权项】:
1.一种半导体装置的散热结构,所述半导体装置具有与基板电连接的电性接合面及其相反侧的散热面,所述半导体装置的散热结构的特征在于,所述散热面经由非绝缘构件而接合至导电性高导热构件,并且所述导电性高导热构件经由第1绝缘构件而接合至散热零件,所述导电性高导热构件的厚度大于所述半导体装置的厚度,所述导电性高导热构件在俯视时小于所述散热零件,在所述半导体装置及所述导电性高导热构件在俯视时均设为矩形形状的情况下,所述导电性高导热构件的各边的长度大于所述导电性高导热构件的厚度的两倍与所述半导体装置的各边的长度之和。
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