[发明专利]一种可调谐垂直腔面发射激光器的制备方法

摘要

本发明涉及半导体光电子器件领域，并且更特别地，涉及一种新型的可调谐垂直腔面发射激光器的制备方法。针对现有技术中可调谐垂直腔面发射激光器制造工艺成品率低，价格高昂的技术问题，本发明提出了一种新型的可调谐垂直腔面发射激光器的制备方法。通过利用黑蜡作为支撑层结合ELO工艺剥离外延层；避免了等离子体刻蚀的操作步骤，显著降低了可调谐垂直腔面发射激光器的制造成本，提高了制造成品率。

主权项

1.一种可调谐垂直腔面发射激光器的制备方法，包括以下制备步骤：a采用金属有机化学汽相沉积或分子束外延系统在n型砷化镓衬底(13)上依次外延生长包括n型铝砷化镓(11)和n型砷化镓层(12)的下分布反馈布拉格反射镜(210)、有源区(10)、氧化限制层(9)、P型欧姆接触(8)；b将外延片清洗、光刻、腐蚀，形成台面结构，暴露出氧化限制层(9)侧壁；c进行氧化工艺，形成注入电流限制孔径；d采用金属有机化学汽相沉积或分子束外延系统外延生长绝缘层(7)，进行第二次光刻、腐蚀、暴露出P型欧姆接触层(8)；e在绝缘层(7)上溅射金属，并进行第三次光刻、腐蚀，形成注入电极(6)；f将n型砷化镓衬底(13)减薄，背面溅射金属形成衬底电极(14)；g采用金属有机化学汽相沉积或分子束外延系统在GaAs衬底(15)上，依次沉积AlAs牺牲层(1)和上分布反馈布拉格反射镜(110)层，其特征在于：还包括步骤h对上分布反馈布拉格反射镜(110)层进行光刻、腐蚀，获得图案化的上分布反馈布拉格反射镜结构，然后在上分布反馈布拉格反射镜(110)层上沉积金属电极层，并且对金属电极层进行光刻、蚀刻，制备具有出光孔(17)的上电极(2)，在上电极(2)的上表面上设置黑蜡支撑层(16)，并且采用HF腐蚀AlAs牺牲层(1)，通过外延层剥离的方式去除GaAs衬底(15)，从而获得带有支撑层的微机电系统结构薄膜(100)；步骤i在半结构的垂直腔面发射激光器(200)表面旋涂粘合层(5)并对粘合层(5)进行光刻，然后将带有支撑层(16)的微机电系统结构薄膜(100)与半结构垂直腔面发射激光器(200)通过粘合层(5)粘合在一起；j利用三氯乙烯去除黑蜡支撑层(16)，得到成品。