[发明专利]一种用阻变材料做隧穿层的自旋电子器件有效
| 申请号： | 201710047134.2 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106876395B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 林晓阳;罗枭;赵巍胜;张有光 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L43/08 |
| 代理公司： | 11232 北京慧泉知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用阻变材料做隧穿层的自旋电子器件，该结构可以是磁隧道结、自旋注入构型等自旋电子结构的一部分。包括：铁磁金属电极；阻变隧穿层；铁磁金属电极或者自旋注入沟道。所述隧穿层，是在不同电压条件下电阻不同的阻变材料。包括但不限于氧化铪(HfO | ||
| 搜索关键词： | 一种 用阻变 材料 做隧穿层 自旋 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种用阻变材料作隧穿层的自旋电子器件，具体为一种磁性隧道结器件，其最下端为绝缘层，其上依次沉积普通金属电极、铁磁参考层、阻变隧穿层、铁磁自由层、普通金属电极，并在最上端沉积一个绝缘层；其特征在于：所述隧穿层是在不同电压条件下电阻不同的阻变材料；所述隧穿层为氧化铪(HfO
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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