[发明专利]一种具有多层BiVO4的电极、其制备方法及其在光电催化中的用途在审
| 申请号： | 201710047245.3 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106898780A | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 邹吉军;武金梦;潘伦;张香文;王莅 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01M4/86 | 分类号： | H01M4/86;H01M4/88;H01M4/92 |
| 代理公司： | 北京市领专知识产权代理有限公司11590 | 代理人： | 刘雪莲 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层BiVO4光电电极，所述电极本体为FTO导电玻璃，其上沉积有多层BiVO4，所述多层为三层以上，每层的厚度各自独立地为0.90～3.50μm。本发明还公开了所述多层BiVO4光电电极的制备方法及用途。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多层 bivo4 电极 制备 方法 及其 光电 催化 中的 用途 | ||
【主权项】：
一种多层BiVO4光电电极，其特征在于，所述电极本体为FTO导电玻璃，其上沉积有多层BiVO4，所述多层为三层以上，每层的厚度各自独立地为0.90～3.50μm。
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