[发明专利]一种体硅SOG工艺

摘要

本发明涉及微电子机械系统(MEMS)器件结构设计领域，特别涉及一种体硅SOG工艺。体硅SOG工艺包括如下步骤在单晶硅的上表面涂覆一层光刻胶；利用光刻胶做掩膜，刻蚀出台阶；在单晶硅的上表面制作一层Al材料层；去光刻胶；将单晶硅翻转，与玻璃阳极表面进行对位和键合；将单晶硅进行减薄处理；在单晶硅的原下表面溅射Al材料层，并光刻、腐蚀出Al电极；在单晶硅的具有Al电极的表面依次进行涂光刻胶、光刻、刻蚀以及结构释放处理；去除光刻胶及单晶硅的原上表面附着的Al材料层，得到MEMS器件结构。本发明的体硅SOG工艺中，通过在单晶硅下表面溅射一层Al金属层的方法，能够避免footing效应的发生，从而避免对MEMS器件造成损伤，提高了整个体硅SOG加工工艺的可靠性。

主权项

一种体硅SOG工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在预加工的单晶硅的上表面涂覆一层具有第一预定厚度的光刻胶；步骤二、利用所述光刻胶做掩膜，在所述单晶硅的上表面刻蚀出具有第二预定厚度的台阶；步骤三、在所述单晶硅的上表面的非台阶部分制作一层具有第三预定厚度的Al材料层；步骤四、去除所述光刻胶；步骤五、在预定条件下，将步骤四中得到的所述单晶硅翻转，使所述单晶硅的原上表面与预加工的玻璃阳极表面进行对位和键合；步骤六、在键合完成后的结构中，将所述单晶硅的原下表面进行减薄处理，使得所述单晶硅的具有所述台阶部分的厚度为第四预定厚度；步骤七、在所述单晶硅的原下表面溅射具有第五预定厚度的Al材料层，并光刻、腐蚀出Al电极；步骤八、在所述单晶硅的具有Al电极的表面依次进行涂光刻胶、光刻处理；步骤九、依次进行刻蚀、结构释放处理；步骤十、去除所述光刻胶及所述单晶硅的原上表面附着的Al材料层，得到MEMS器件结构。