[发明专利]一种将薄硅片等厚度分切的夹具及其应用方法有效
申请号: | 201710047884.X | 申请日: | 2017-01-22 |
公开(公告)号: | CN106738402B | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 曾泽斌 | 申请(专利权)人: | 浙江理工大学 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B28D7/04 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人: | 林松海 |
地址: | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种将薄硅片等厚度分切的夹具及其应用方法。夹具主体为夹具体,一端设有真空嘴,另一端设有硅片固定槽,在夹具体的侧面设有进给柄,在夹具体内沿轴线设有连通两端的真空腔,在硅片固定槽底部设有多个真空圆孔通过真空腔与真空嘴联通。通过切割、测量刀片平面标定硅将硅片固定槽的底面调到与刀片平面平行并测出两者之间的距离;安装待分切硅片并分切。用内圆切割机先将扩散后的厚度约为1mm的硅片沿径向一分为二,再对得到的两片硅片的切割面进行研磨抛光加工,一片扩散过的研磨片能得到两片具有N‑/N+结构的抛光片。这提高了原材料的利用率,并大大降低了器件生产成本,用于带重掺杂扩散层的抛光片生产约可降低50%的单片扩散电耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 厚度 夹具 及其 应用 方法 | ||
【主权项】:
一种应用夹具将薄硅片等厚度分切的方法,其特征在于,所述的夹具,主体为夹具体(24),一端设有真空嘴(23),另一端设有硅片固定槽(25),在夹具体(24)的侧面设有进给柄(26),在夹具体(24)内沿轴线设有连通两端的真空腔(29),在硅片固定槽(25)底部设有多个真空圆孔(27)通过真空腔(29)与真空嘴(23)联通;所述方法的步骤为:1)加工两端平行、厚度为40‑50mm、直径为d的刀片平面标定硅锭(28),端面标出互相垂直的X1‑X2平面和Y1‑Y2平面;2)将刀片平面标定硅锭(28)放置在夹具体(24)一端的硅片固定槽(25)内,使X1‑X2平面与进给柄(26)垂直,开真空吸紧;3)使进给柄(26)位于夹具体(24)的正下方,将夹具体(24)连同刀片平面标定硅锭(28)固定在内圆切割机上,调整夹具体(24)的位置使刀片平面标定硅锭的自由端对准刀片,以确保内圆刀片能切出一片最大厚度不超过10mm的完整硅圆片为准,用晶锭压紧装置(7)压紧夹具体(24);4)开启内圆切割机在刀片平面标定硅锭(28)的自由端切下一个完整的硅圆片;5)关真空,取出被切割的刀片平面标定硅锭(28),量出被切割的刀片平面标定硅锭在X1‑X2和Y1‑Y2方向的边沿的厚度m1、m2、n1、n2,计算内圆刀片切得的新平面与刀片平面标定硅锭(28)被吸紧在硅片固定槽(25)的端面之间沿水平方向和垂直方向的夹角α和θ:;6)松开水平方向锁紧(17),转动水平方向调整(18),将刀片平面标定硅锭(28)被吸紧在硅片固定槽(25)的端面沿水平方向调到与内圆刀片平面平行,调整的角度为α,角度值从水平方向角度刻度(19)读出,拧紧水平方向锁紧(17);7)松开垂直方向锁紧(11),转动垂直方向调整(14),将刀片平面标定硅锭被吸紧在硅片固定槽(25)的端面沿垂直方向调到与内圆刀片(6)的平面平行,调整的角度为θ,角度值从垂直方向角度刻度(12)读出,拧紧垂直方向锁紧(11);8)在晶锭进给量设定(13)上设定进给量3‑10mm,将被切割的刀片平面标定硅锭按原来的方位重新吸紧在硅片固定槽(25)上,重复步骤4)-步骤7)的过程,直到同时满足m1-m2≤10µm、n1-n2≤10µm为止;9)量出被切割的刀片平面标定硅锭的中心厚度h,在晶锭进给量设定(13)上设定进给量,式中S和S1分别为内圆刀片的切缝宽度和待等厚度分切硅片的厚度;10)将待等厚度分切硅片吸紧在硅片固定槽(25)上,开启内圆切割机切割硅片,待分切硅片被等厚度一分为二。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江理工大学,未经浙江理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710047884.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造