[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710048777.9 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN108231863B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 张翼;刘世谦;黄崇愷;吴佳勳;韩秉承;林岳钦;谢廷恩 | 申请（专利权）人： | 财团法人交大思源基金会 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包含：基材、通道层、阻障层、凹槽、电荷陷阱层、铁电材料、栅极、源极和漏极。通道层配置于基材上；阻障层配置于通道层上，阻障层具有凹槽，且凹槽下方的阻障层具有一厚度；漏极和源极配置于阻障层上；电荷陷阱层覆盖凹槽的底面；铁电材料配置于电荷陷阱层上；以及栅极配置于铁电材料上。本发明提供的半导体装置具有高临界电压，而且能同时维持高输出电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一基材；一通道层配置于该基材上；一阻障层配置于该通道层上，该阻障层具有一凹槽，且该凹槽下方的该阻障层具有一厚度；一漏极和一源极配置于该阻障层上；一电荷陷阱层覆盖该凹槽的一底面；一铁电材料配置于该电荷陷阱层上；以及一栅极配置于该铁电材料上。
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