[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。提供了配备有具有改善的耐压并且能够减小绝缘栅场效应晶体管部分截止时的浪涌电压的缓冲器部分的半导体器件。缓冲器半导体区中的第一导电类型杂质的浓度大于漂移层中的第一导电类型杂质的浓度。缓冲器绝缘膜的在缓冲器半导体区和缓冲器电极之间的厚度大于栅绝缘膜的在栅电极和体区之间的厚度。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有彼此相对的第一主表面和第二主表面；绝缘栅场效应晶体管部分，所述绝缘栅场效应晶体管部分被布置在所述半导体衬底的第一区中；以及缓冲器部分，所述缓冲器部分被布置在所述第一区周围的所述半导体衬底的第二区中，其中，所述绝缘栅场效应晶体管部分包括：漂移层，所述漂移层具有第一导电类型，被布置在所述半导体衬底中；体区，所述体区被布置在所述半导体衬底中的所述漂移层的所述第一主表面侧并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；源区，所述源区具有所述第一导电类型，被布置在所述半导体衬底中的所述体区的所述第一主表面侧；栅绝缘膜，所述栅绝缘膜被布置在所述体区的夹在所述漂移层和所述源区之间的部分上方；栅电极，所述栅电极与所述体区的所述部分相对，所述栅绝缘膜处于其间；以及源电极，所述源电极被布置在所述第一主表面上方并且被电耦合到所述源区，其中，所述缓冲器部分包括：缓冲器半导体区，所述缓冲器半导体区具有所述第一导电类型，被布置在所述半导体衬底中；缓冲器绝缘膜，所述缓冲器绝缘膜被布置在缓冲器沟槽中，所述缓冲器沟槽设置在所述缓冲器半导体区的所述第一主表面侧；以及缓冲器电极，所述缓冲器电极被布置在所述缓冲器沟槽中并且与所述缓冲器半导体区相对，所述缓冲器绝缘膜处于其间，其中，所述缓冲器电极被电耦合到所述源电极，其中，所述缓冲器半导体区中的具有所述第一导电类型的杂质的浓度大于所述漂移层中的具有所述第一导电类型的杂质的浓度，以及其中，所述缓冲器绝缘膜所述缓冲器半导体区和所述缓冲器电极之间的厚度大于所述栅绝缘膜在所述栅电极和所述体区之间的厚度。