[发明专利]一种蓝膜切割工艺

摘要

本发明公开了一种蓝膜切割工艺。依次包括步骤：覆膜、激光切割、扩膜、转盘、检测和倒膜，覆膜使用的是蓝色静电膜，蓝色静电膜表面涂有防静电硅胶，该切割工艺中底膜选用蓝膜，选用该蓝膜的切割工艺无需解胶步骤，节约成本，生产效率也有所提高。

主权项

1.一种蓝膜切割工艺，其特征在于，包括步骤：/n（1）在蓝色静电膜正面中部贴附至少一个中片，然后将第一晶圆环沿蓝色静电膜周缘贴于蓝色静电膜正面，形成片材组件；/n（2）将片材组件放入激光切割机中，然后用激光束将中片切割成若干小片；/n（3）取出片材组件，并将其放入扩膜机中扩膜；/n（3-1）在扩膜基座上放置子环，在子盖体上放置母环，然后将蓝色静电膜加热至45℃，恒温下置于扩膜基座上，蓝色静电膜正面朝上，且第一晶圆环置于工作平台上；/n（3-2）合上盖体，盖本体压住第一晶圆环，上升扩膜基座，此时扩膜基座抵住其上部的蓝色静电膜，使蓝色静电膜扩展，最终带动小片与小片之间的距离扩大；/n（3-3）下降子盖体，使子盖体上的母环与子环接触并卡合；/n（3-4）打开盖体，取下带有子环和母环的片材组件，冷却；冷却至室温，能够进一步保证蓝色静电膜的稳定性，避免膜回缩，保证小片之间的间隙，同时也能够避免切割后的小片在转移过程中遗落，保证甚至提高粘接力；/n（4）转盘，将片材组件置于转盘平台上，用第二晶圆环更换第一晶圆环，所述第二晶圆环小于第一晶圆环的尺寸；/n（5）检验，将片材组件置于显微镜下检验；/n（6）倒膜，用保护贴膜替换蓝色静电膜；/n所述蓝色静电膜至少在正面涂有防静电硅胶；/n所述防静电硅胶包括以下组份：有机硅粘接剂、丙烯酸类聚合物和抗静电微粒；/n步骤（3）中扩膜时，扩膜温度恒定在40-50℃，扩膜结束后降温至室温；/n蓝膜切割设备包括工作平台，所述工作平台上具有能够相对所述工作平台升降的扩膜基座；盖体，所述盖体相对所述扩膜基座开合设置，所述盖体包括盖本体和子盖体，所述盖本体具有相对所述扩膜基座开设的通孔，子盖体相对所述扩膜基座设置，且子盖体能穿过所述通孔与所述扩膜基座接触；子环和母环，子环设于扩膜基座上，母环设于子盖体上，且子环和母环接触时能够卡合在一起；所述扩膜基座连有加热机构和温度控制机构。/n