[发明专利]一种连续化生长二维原子晶体材料的生长单元、系统和设备有效
| 申请号： | 201710049714.5 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108342772B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 王钰;顾伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/64 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;胡彬 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种连续化生长二维原子晶体材料的生长单元，所述生长单元包括筒状保温层，设置于筒状保温层内部的，用于承载生长基底的承载面，设置于所述承载面下方的加热部件；所述加热部件与承载面电绝缘；所述生长基底在承载面的承载作用下，从筒状保温层的一个端面运动至另一个端面。本发明提供了连续化生长二维原子晶体材料的生长单元，为二维原子晶体材料的生长提供了环境；可以将多个所述生长单元连接，并将所述每个生长单元的筒状保温层无缝连接得到连续化生长二维原子晶体材料的生长系统，实现二维原子晶体材料生长过程的温度可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 连续 化生 二维 原子 晶体 材料 生长 单元 系统 设备 | ||
【主权项】：
1.一种连续化生长二维原子晶体材料的生长单元，其特征在于，所述生长单元包括筒状保温层，设置于筒状保温层内部的，用于承载生长基底的承载面，设置于所述承载面下方的加热部件；所述加热部件与承载面电绝缘；所述生长基底在承载面的承载作用下，从筒状保温层的一个端面运动至另一个端面。
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