[发明专利]一种高稳定性镍钴双氢氧化物电极材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710049840.0 申请日: 2017-01-23
公开(公告)号: CN106960730A 公开(公告)日: 2017-07-18
发明(设计)人: 储伟;李敬;魏民 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: H01G11/30 分类号: H01G11/30;H01G11/24;H01G11/86
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610065 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于超级电容器材料领域,具体涉及高稳定性超级电容器正极材料镍钴双氢氧化物(NiCo DH)及其制备方法;该材料是一种由超薄纳米片组装而成的三维花状微球结构,属于α型层状化合物,层间距为组成微球的纳米片厚度低于10nm。材料制备采用镍盐,钴盐为前驱体,尿素为沉淀剂,通过微波合成仪在常压条件下进行合成,样品制备时间明显减少,合成条件温和,简便节能,具有工业放大的潜力。合成的α相NiCo DH作为超级电容器正极材料展现出高比电容(1120F g‑1),出色的倍率性和优异的稳定性;在10A/g大电流密度下进行2000圈循环的稳定性测试其比电容稳定运行未衰减,比电容值随着循环还稍有增加(从第1圈的996F/g增加至第2000圈的1220F/g)。本发明制备过程简单快速,条件温和可放大,且利用该方法制备出的α型NiCo DH整体性能优异,对超级电容器材料的应用具有一定参考价值。
搜索关键词: 一种 稳定性 镍钴双 氢氧化物 电极 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种超级电容器正极材料,其特征在于:α相的三维花状镍钴双氢氧化物微球属于氰酸根阴离子插层的层状化合物,层间距为微球由大量超薄纳米片组成,纳米片层厚度低于10nm;在10A/g大电流密度下进行2000圈循环的稳定性测试其比电容稳定运行未衰减,比电容值随着循环还稍有增加,从第1圈的996F/g增加至第2000圈的1220F/g。
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