[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710051154.7 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN107046053B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 陈柏智;余俊磊;张耀中;蔡俊琳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/201;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、位于衬底上方的第一Ⅲ‑Ⅴ族化合物层、位于第一Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上方的第二Ⅲ‑Ⅴ族化合物层、位于第二Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上方的第三Ⅲ‑Ⅴ族化合物层、位于第三Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上方的源极区和位于第三Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上方的漏极区。第三Ⅲ‑Ⅴ族化合物层的铝百分比大于第二Ⅲ‑Ⅴ族化合物层的铝百分比。本发明大体涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；第一Ⅲ‑Ⅴ族化合物层，位于所述衬底上方；第二Ⅲ‑Ⅴ族化合物层，位于所述第一Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上；第三Ⅲ‑Ⅴ族化合物层，位于所述第二Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上；源极区，位于所述第三Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上；以及漏极区，位于所述第三Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上，其中，所述第三Ⅲ‑Ⅴ族化合物层的铝百分比大于所述第二Ⅲ‑Ⅴ族化合物层的铝百分比。
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