[发明专利]电池保护控制晶片的制作方法以及电池保护控制芯片以及用户设备在审
| 申请号： | 201710052394.9 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106683984A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 王钊 | 申请（专利权）人： | 合肥中感微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京新知远方知识产权代理事务所(普通合伙)11397 | 代理人： | 艾凤英 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥市新站区珍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例中提供了一种电池保护控制晶片的制作方法、电池保护控制芯片以及用户设备，该制作方法包括在电池保护控制晶片的制作过程中，电池保护控制晶圆制作完成后，对所述电池保护控制晶圆需要绝缘的一面进行氧化；以及在氧化完成后，切割并封装所述电池保护控制晶圆形成电池保护控制晶片，采用本申请中的方案，能够有效避免发生漏电或短路，降低电池保护控制晶片的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 电池 保护 控制 晶片 制作方法 以及 芯片 用户 设备 | ||
【主权项】：
一种电池保护控制晶片的制作方法，其特征在于，包括：在电池保护控制晶片的制作过程中，电池保护控制晶圆制作完成后，对所述电池保护控制晶圆需要绝缘的一面进行绝缘处理；以及在绝缘处理完成后，切割所述电池保护控制晶圆形成电池保护控制晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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