[发明专利]基于多孔氮化镓的紫外光电探测器及制备方法在审
| 申请号： | 201710053207.9 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106653893A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;杨超;赵丽霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/108;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多孔氮化镓的紫外光电探测器，包括衬底；缓冲层，位于所述衬底之上；n型多孔氮化镓层，位于所述缓冲层之上；一对电极，分别叠置于所述型多孔氮化镓层之上。此外，本发明还提供了一种多孔氮化镓的紫外光电探测器的制备方法，包括在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上制备n型多孔氮化镓层；在n型多孔氮化镓层上生长一对电极。本发明采用多孔氮化镓结构，使得氮化镓与电极形成的肖特基结界面处会有大量的表面态密度，降低结势垒高度，增强光效应。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 多孔 氮化 紫外 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于多孔氮化镓的紫外光电探测器，其特征在于，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底之上；n型多孔氮化镓层，位于所述缓冲层之上；一对电极，分别叠置于所述型多孔氮化镓层之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
