[发明专利]一种基于电子辐照控制PN结缺陷能级的方法有效
| 申请号： | 201710054075.1 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106920742B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 郭春生;王若旻;冯士维 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于电子辐照控制PN结缺陷能级的方法，其步骤为：(1)一次加工前的摸底实验，根据辐照条件对器件进行分组；(2)按照辐照条件对器件进行辐照加工，固定辐照方向、辐照环境及冷却系统；(3)在常温常压下储存器件以保证性能达到稳定；(4)测试DLTS深能级瞬态谱，确定缺陷能级位置、浓度及俘获截面参数；(5)测试电学特性参数，包括正向特性、反向特性及开关特性；(6)进行批量加工生产。本发明可以通过改变电子辐照条件控制缺陷能级位置、浓度等参数，重复性好，在进行前期测试后可以进行批量加工，实现按照生产需求定向优化器件各项性能的目标。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电子 辐照 控制 pn 缺陷 能级 方法 | ||
【主权项】：
一种基于电子辐照控制PN结缺陷能级的方法，其特征在于：该方法的步骤为：(1)一次加工前的摸底实验，根据辐照条件对器件进行分组；(2)按照辐照条件对器件进行辐照加工，固定辐照方向、辐照环境及冷却系统；(3)在常温常压下储存器件以保证性能达到稳定；(4)测试DLTS神能级瞬态谱，确定缺陷能级位置、浓度及俘获截面参数；(5)测试电学特性参数，包括正向特性、反向特性及开关特性；(6)进行批量加工生产。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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