[发明专利]一种抑制锑化物超晶格红外探测器表面泄露电流的方法在审
| 申请号： | 201710054288.4 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106711289A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 黄建亮;马文全;张艳华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种抑制锑化物超晶格红外探测器表面泄露电流的方法，包括以下步骤S1在衬底上依次生长缓冲层、下欧姆接触层、光吸收层、上欧姆接触层和掩膜层，形成整体器件；S2所述整体器件包含多个周期阵列排布的单元器件，去除单元器件部分区域的掩膜层，开出扩散窗口；S3对单元器件的扩散窗口进行P型扩散，形成P型上欧姆接触层；S4刻蚀整体器件的四周区域至下欧姆接触层，形成中心大台面；S5在单元器件的P型上欧姆接触层上形成上金属电极，在下欧姆接触层表面上形成下金属电极，完成器件的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 锑化物超 晶格 红外探测器 表面 泄露 电流 方法 | ||
【主权项】：
一种抑制锑化物超晶格红外探测器表面泄露电流的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在衬底上依次生长缓冲层、下欧姆接触层、光吸收层、上欧姆接触层和掩膜层，形成整体器件；S2：所述整体器件包含多个周期阵列排布的单元器件，去除单元器件部分区域的掩膜层，开出扩散窗口；S3：对单元器件的扩散窗口进行P型扩散，形成P型上欧姆接触层；S4：刻蚀整体器件的四周区域至下欧姆接触层，形成中心大台面；S5：在单元器件的P型上欧姆接触层上形成上金属电极，在下欧姆接触层表面上形成下金属电极，完成器件的制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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