[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710054525.7 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN107808880B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 唐金祐次;福田昌利;本间庄一;小牟田直幸;尾山幸史 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种更高效地以树脂密封半导体芯片积层体的半导体装置的制造方法。所述半导体装置的制造方法是在具有第1凸块电极的第1半导体芯片的第1面上，使具有第2凸块电极及第1贯通电极的第2半导体芯片以所述第1凸块电极与所述第1贯通电极重叠的方式积层，在所述第2半导体芯片上，使具有第2贯通电极的第3半导体芯片以所述第2凸块电极与所述第2贯通电极重叠的方式积层而形成芯片积层体，将所述芯片积层体的所述第1及第2凸块电极利用回流焊机械连接于所述第1及第2贯通电极，在具有第2面的第1衬底上，以所述第1面朝向所述第2面侧的方式搭载所述芯片积层体，将所述第2面上及所述第1、第2及第3半导体芯片间树脂密封。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，在具有第1凸块电极的第1半导体芯片的第1面上，使具有第2凸块电极及第1贯通电极的第2半导体芯片以所述第1凸块电极与所述第1贯通电极重叠的方式积层；在所述第2半导体芯片上，使具有第2贯通电极的第3半导体芯片以所述第2凸块电极与所述第2贯通电极重叠的方式积层而形成芯片积层体；将所述芯片积层体的所述第1及第2凸块电极利用回流焊机械连接于所述第1及第2贯通电极；在具有第2面的第1衬底上，以所述第1面朝向所述第2面侧的方式搭载所述芯片积层体；将所述第2面上及所述第1、第2及第3半导体芯片间树脂密封。
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