[发明专利]一种具有超晶格限制层的AlGaInP半导体激光器有效
| 申请号： | 201710054607.1 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108346972B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 徐现刚;朱振;张新 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343;H01S5/20 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有超晶格限制层的AlGaInP半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一上限制层、第二上限制层和欧姆接触层；第一上限制层为高铝组分的AlGaInP材料与低铝组分的AlGaInP材料交替生长的超晶格结构，所述第一上限制层中，高铝组分的AlGaInP材料的掺杂材料为Mg，低铝组分的AlGaInP材料的掺杂材料为Mg，第二上限制层为高铝组分的AlGaInP材料，第二上限制层的掺杂材料为Mg。本发明使用高掺杂的第一上限制层及第二上限制层，可以降低外延层的串联电阻，减少焦耳热的产生，提高了光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 晶格 限制 algainp 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种具有超晶格限制层的AlGaInP半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一上限制层、第二上限制层和欧姆接触层；其特征在于，所述第一上限制层为高铝组分的AlGaInP材料与低铝组分的AlGaInP材料交替生长的超晶格结构，所述第一上限制层中，高铝组分的AlGaInP材料的掺杂材料为Mg，低铝组分的AlGaInP材料的掺杂材料为Mg，所述第二上限制层为高铝组分的AlGaInP材料，所述第二上限制层的掺杂材料为Mg。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东华光光电子股份有限公司，未经山东华光光电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710054607.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
