[发明专利]一种基于AlGaAs/GaInP有源区的795nm量子阱激光器有效
| 申请号： | 201710055073.4 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108346973B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 徐现刚;李沛旭 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种AlGaAs/GaInP有源区795nm量子阱激光器，其外延结构由下至上依次包括衬底、缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层、欧姆接触层，上波导层和下波导层采用无铝材料镓铟磷，量子阱层为铝镓砷材料，波导层和量子阱层共同组成宽波导半无铝有源区。本发明能够满足小型化、简单化自倍频激光晶体应用的泵浦激光器的特殊需求，同时优化的激光器结构能够有效降低生长界面粗糙、腔面处附生电场对激光器长寿命等可靠性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 量子阱层 源区 量子阱激光器 上波导层 下波导层 自倍频激光晶体 泵浦激光器 激光器结构 欧姆接触层 电场 生长界面 外延结构 激光器 波导层 长寿命 缓冲层 宽波导 铝材料 铝镓砷 腔面处 镓铟磷 衬底 附生 粗糙 优化 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于AlGaAs/GaInP有源区的795nm量子阱激光器，包括在衬底上顺次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，其中，量子阱层为AlGaAs层；所述衬底和缓冲层均为N型GaAs层；所述下限制层为N型AlGaInP层，上限制层为P型AlGaInP层；所述上波导层为GaInP层；所述下波导层为GaInP层或部分厚度N型掺杂的GaInP层，其中，所述部分厚度N型掺杂是在所述下波导层与下限制层相邻的一侧部分厚度进行N型掺杂，所述N型掺杂部分的厚度为下波导层厚度的1/3～1/2；所述欧姆接触层为P型GaAs层；由所述的上波导层、量子阱层和下波导层共同组成宽波导半无铝有源区，即，AlGaAs/GaInP有源区。
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