[发明专利]介孔二氮化三钼纳米线及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201710055127.7 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN106684383B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 麦立强;姜亚龙;董君;魏湫龙;安琴友 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;H01M10/054;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明属于纳米材料与电化学技术领域，具体涉及一种有序介孔二氮化三钼纳米线的制备方法，该材料可作为高功率长寿命钠离子电池负极活性材料，其长度为4‑6微米，直径为100‑150纳米，所述纳米线内部含有丰富的介孔结构，呈狭缝状，其比表面积可达55m |
||
| 搜索关键词： | 介孔二 氮化 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
介孔二氮化三钼纳米线，其长度为4‑6微米，直径为100‑150纳米，所述纳米线内部含有丰富的介孔结构，呈狭缝状，其比表面积可达55m2/g，孔体积可达0.087cm3/g。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学，未经武汉理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710055127.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
