[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201710056333.X | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN107610731B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 朴元善 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/10 | 分类号： | G11C8/10;G11C8/12 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 任静;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供一种半导体存储器件。半导体存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块；电压发生电路，被配置为产生多个操作电压；解码器电路，被配置为响应于顺序输入的串行的数据信号来将所述多个操作电压传送到所述存储单元阵列；以及控制逻辑，被配置为响应于命令来产生所述数据信号、内部地址信号和内部时钟信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；电压发生电路，被配置为产生多个操作电压；解码器电路，被配置为响应于顺序输入的串行的数据信号来将所述多个操作电压传送到所述存储单元阵列；以及控制逻辑，被配置为响应于命令来产生所述数据信号、并行的内部地址信号和内部时钟信号。
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