[发明专利]带有边缘耦合器的硅光子低回波损耗封装结构有效
| 申请号： | 201710056360.7 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN107065082B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 张宁;石拓;邵永波;苏宗一;潘栋 | 申请（专利权）人： | 硅光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在分布式反馈激光二极管(DFB‑LD)和硅光子集成电路芯片(Si PIC)边缘耦合器之间耦合的具有低回波损耗的新颖、紧凑且高效的封装结构，包括：DFB‑LD；Si PIC，其包括至少一个输入边缘耦合器和至少一个输出边缘耦合器；硅石罩盖，其设置在所述硅光子集成电路芯片的顶部并且与所述硅光子集成电路芯片边对边对齐；单模光纤，其对齐所述至少一个输出边缘耦合器；透镜，其设置在所述分布式反馈激光器和所述硅光子集成电路芯片的所述至少一个输入边缘耦合器之间；和隔离器，其采用折射率匹配流体结合到所述至少一个输入边缘耦合器的刻面。所述透镜配置成最小化所述分布式反馈激光二极管的输出光斑尺寸和所述硅光子集成电路芯片的至少一个输入边缘耦合器的光斑尺寸之间的不匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 边缘 耦合器 光子 回波 损耗 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种光学封装结构，包括：分布式反馈激光二极管；硅光子集成电路芯片，其具有至少一个输入边缘耦合器和至少一个输出边缘耦合器；硅石罩盖，其设置在所述硅光子集成电路芯片上并且与所述硅光子集成电路芯片边对边对齐；单模光纤，其对齐所述硅光子集成电路芯片的所述至少一个输出边缘耦合器；透镜，其设置在所述分布式反馈激光器和所述硅光子集成电路芯片的所述至少一个输入边缘耦合器之间，所述透镜配置成最小化所述分布式反馈激光二极管的输出光斑尺寸和所述硅光子集成电路芯片的所述至少一个输入边缘耦合器的光斑尺寸之间的不匹配；和隔离器，其采用第一容量的折射率匹配流体结合到所述至少一个输入边缘耦合器的刻面。
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