[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710056947.8 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN107026145B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 木村吉孝 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;姜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 课题在于：提供一种半导体装置，该半导体装置即便在维持熔丝元件的耐湿性并且邻接的熔丝元件的间隔狭窄的情况下，利用激光照射切断熔丝元件时，也能防止构成熔丝元件的导体的再附着、或熔丝元件的断线等。解决方案如下，即具备：设在半导体衬底上的第1绝缘膜；彼此邻接地设在第1绝缘膜上的多个熔丝元件；覆盖熔丝元件的至少侧面的保护绝缘膜；以及覆盖熔丝元件及保护绝缘膜的由BPSG膜或PSG膜构成的第2绝缘膜，保护绝缘膜的机械强度高于第2绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于具备：设在半导体衬底上的第1绝缘膜；彼此邻接地设在所述第1绝缘膜上的多个熔丝元件；覆盖所述熔丝元件的至少侧面的保护绝缘膜；以及覆盖所述熔丝元件及所述保护绝缘膜的由BPSG膜或PSG膜构成的第2绝缘膜，所述保护绝缘膜的机械强度高于所述第2绝缘膜。
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