[发明专利]一种提升真空渗碳效率的稀土注入处理方法有效
| 申请号： | 201710057142.5 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN106868466B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 金国;董美伶;崔秀芳;岳彩文;蔡召兵;赵鑫 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C14/16;C23C8/22;C23C28/00;C21D1/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供的是一种提升真空渗碳效率的稀土注入处理方法。在真空渗碳之前，先对基材进行稀土铈离子注入处理，在基材表面形成50‑70nm厚的铈离子稀土注入层，再进行真空渗碳热处理。本发明利用稀土注入产生晶格畸变及稀土微合金化作用，来提高真空渗碳效率，降低渗碳温度、改善渗碳层质量。相比于现有稀土混合催渗剂的制备方法，本发明所采用的离子注入技术具有操作简单、无残渣、渗碳过程中无需分段控制碳势等优点，可在真空渗碳炉内完成催渗反应，且渗碳后渗层中碳化物细小、分布均匀，可实现渗碳温度的降低与速率的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 真空 渗碳 效率 稀土 注入 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提升真空渗碳效率的稀土注入处理方法，其特征是：在真空渗碳之前，先对基材进行稀土铈离子注入处理，在基材表面形成50‑70nm厚的铈离子稀土注入层，再进行真空渗碳热处理；所述进行稀土铈离子注入处理的注入电压为40～60KV，注入计量为1×1017ion/cm2～2×1017ion/cm2，注入温度为25～100℃；所述真空渗碳热处理的真空渗碳温度为905℃～925℃，真空渗碳后过高温回火、淬火、冷处理及低温回火处理。
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