[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710057352.4 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN107039531B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 刘书豪;蔡彦明;魏仲廷;方子韦;张志维;陈建豪;张惠政 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成半导体结构的方法，该方法包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底；在半导体衬底上的第一区域内形成第一栅极以及在第二区域内形成第二栅极；在第一区域内的半导体衬底中形成具有N型掺杂剂的第一半导体材料的第一源极/漏极部件；在第二区域内的半导体衬底中形成具有P型掺杂剂的第二半导体材料的第二源极/漏极部件。该方法进一步包括为第一源极/漏极部件形成第一硅化物部件以及为第二源极/漏极部件形成第二硅化物部件；以及对第一区域和第二区域实施核素的离子注入工艺，从而将该核素引入第一硅化物部件和第二源极/漏极部件。本发明还提供一种半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，包括：/n提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底；/n在所述半导体衬底上在所述第一区域内形成第一栅极以及在所述第二区域内形成第二栅极；/n在所述第一区域内在所述半导体衬底中形成带有N型掺杂剂的第一半导体材料的第一源极/漏极部件，其中，所述第一源极/漏极部件被所述第一栅极插入；/n在所述第二区域内在所述半导体衬底中形成带有P型掺杂剂的第二半导体材料的第二源极/漏极部件，其中，所述第二源极/漏极部件被所述第二栅极插入，且所述第二半导体材料在组分上不同于所述第一半导体材料；/n为所述第一源极/漏极部件形成第一硅化物部件以及为所述第二源极/漏极部件形成第二硅化物部件；以及/n对所述第一区域和所述第二区域实施核素的离子注入工艺，从而将所述核素引入所述第一硅化物部件和所述第二源极/漏极部件，/n其中，对所述第一区域和所述第二区域实施所述核素的所述离子注入工艺包括在所述第一区域内在所述第一源极/漏极部件中较慢扩散所述核素，以及在所述第二区域内在所述第二源极/漏极部件中较快扩散所述核素。/n
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