[发明专利]III-V族半导体材料的光伏器件及其形成方法

摘要

本发明的实施方案通常涉及光伏器件。在一个实施方案中，形成砷化镓基光伏器件的方法包括：提供半导体结构，所述结构包括包含砷化镓的吸收层。提供在半导体结构的p‑n接面中的旁路功能，其中在反向偏压条件下p‑n接面以受控方式通过齐纳击穿效应击穿。

主权项

1.一种形成III‑V族半导体材料的光伏器件的方法，该方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括吸收层，所述吸收层被配置为吸收光子以在所述光伏器件将光能转换成电能；其中提供所述半导体结构包括在所述半导体结构中形成射极层，所述射极层由与制成所述吸收层的第二III‑V族半导体材料不同的第一III‑V族半导体材料制成并且具有比所述吸收层更高的带隙，所述第一III‑V族半导体材料具有与所述第二III‑V族半导体材料的化合物不同的III‑V族半导体化合物；其中提供所述半导体结构包括在所述吸收层和所述射极层之间形成中间层，所述中间层包括从所述吸收层的所述第二III‑V族半导体材料中的III‑V族半导体化合物到所述射极层的所述第一III‑V族半导体材料中的III‑V族半导体化合物的材料组成的递变；其中所述半导体结构的p‑n接面形成在所述射极层和所述中间层之间，使得在所得光伏器件中的反向偏压条件下，所述p‑n接面使用以受控方式击穿的齐纳击穿效应提供旁路功能。