[发明专利]复合薄膜结构光伏器件及制备方法在审
| 申请号： | 201710057584.X | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN106972064A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 朱俊;周云霞;刘兴鹏;吴智鹏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙)51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 复合薄膜结构光伏器件及制备方法，涉及光电转换技术和复合薄膜太阳能技术领域。本发明的复合薄膜结构光伏器件包括铁电功能层、半导体衬底、透明电极和下电极，其特征在于，在铁电层和半导体衬底之间设置有缓冲层，所述缓冲层的材料为钛酸锶或氧化钛，缓冲层厚度为10～30nm。本发明有益效果为1、将铁电材料和半导体材料相结合，从而拓宽了复合薄膜结构光伏器件的光谱吸收范围，实现了更光谱的吸收波段。2、通过插入钛酸锶(STO)缓冲层，解决了功能层和衬底之间的晶格失配问题，减少了光生载流子在界面缺陷中的复合，显著提高了光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 薄膜 结构 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
复合薄膜结构光伏器件，包括铁电功能层、半导体衬底、透明电极和下电极，其特征在于，在铁电层和半导体衬底之间设置有缓冲层，所述缓冲层的材料为钛酸锶或氧化钛，缓冲层厚度为10～30nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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