[发明专利]使用高介电常数栅介质的耐压器件及制备方法在审
| 申请号： | 201710057596.2 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN106684130A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 李俊宏;李平 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙)51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 使用高介电常数栅介质的耐压器件及制备方法，涉及半导体功率器件。本发明的器件包括衬底和设置于衬底上的高介电常数栅介质层，其特征在于，所述高介电常数栅介质层由隔离材料分割为至少3个相互独立的区块。本发明的有益效果是，由于高K介质2被网格1分割成了多个部分，所以其热应力被分散，可避免退火时高K介质2的开裂。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 介电常数 介质 耐压 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
使用高介电常数栅介质的耐压器件，包括衬底和设置于衬底上的高介电常数栅介质层，其特征在于，所述高介电常数栅介质层由隔离材料分割为至少3个相互独立的区块。
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