[发明专利]芯片封装电极结构以及使用该电极的芯片封装结构在审
| 申请号： | 201710059168.3 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN106783784A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 付猛 | 申请（专利权）人： | 东莞市阿甘半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/49;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 提供了一种芯片封装电极结构，包括第一导电层，该第一导电层具有第一热膨胀系数；以及膨胀抑制层，至少部分地覆盖该第一导电层并用于抑制该第一导电层的膨胀，该膨胀抑制层具有第二膨胀系数并且该第二膨胀系数小于该第一热膨胀系数。还提供了一种芯片封装结构，包括芯片；以及一个或多个与该芯片连接的如上面所述的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 电极 结构 以及 使用 | ||
【主权项】：
一种芯片封装电极结构，包括：第一导电层，该第一导电层具有第一热膨胀系数；以及膨胀抑制层，至少部分地覆盖该第一导电层并用于抑制该第一导电层的膨胀，该膨胀抑制层具有第二膨胀系数并且该第二膨胀系数小于该第一热膨胀系数。
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