[发明专利]减小的接触电阻的自对准接触金属化有效
| 申请号： | 201710059597.0 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106847811B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | G·A·格拉斯;A·S·默西;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L27/092;H01L29/165;H01L29/417;H01L29/78;H01L21/285;H01L21/8238;H01L21/8258;H01L21/336;H01L21/28;H01L29/51;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及减小的接触电阻的自对准接触金属化。公开了用于形成低接触电阻晶体管设备的技术。P型锗层设置在p型源极/漏极区和它们相应的接触金属之间，且n型III‑V半导体材料层设置在n型源极/漏极区和它们相应的接触金属之间。n型III‑V半导体材料层可具有小带隙(例如0.5eV)和/或否则被掺杂以提供期望导电性，且p型锗层可被掺杂有例如硼。在III‑V材料沉积在n型源极/漏极区和锗覆盖的p型源极/漏极区之上之后，回蚀工艺可被执行来利用在n型和p型区之间的高度差以使接触类型自对准并暴露在n型区之上的的p型锗并使在n型区之上的n型III‑V材料变薄。所述技术可在平面和非平面晶体管架构上使用。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 接触 电阻 对准 金属化 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：直接位于p型源极区和p型漏极区的至少一部分上的p型锗；以及直接位于n型源极区和n型漏极区的至少一部分上的n型III‑V半导体材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710059597.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种田园管理机双输出变挡机构
- 下一篇：皮带自涨紧传送装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
