[发明专利]一种气体流量控制装置及等离子体刻蚀设备有效
申请号: | 201710060764.3 | 申请日: | 2017-01-25 |
公开(公告)号: | CN106653660B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 常新园;高才勇;刘浩;常维;王志强;吕俊君;崔镕各 | 申请(专利权)人: | 重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3065;G05D7/00 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 400714 重庆市北*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开了一种气体流量控制装置及等离子体刻蚀设备,气体流量控制装置包括内环管道和外环管道;还包括独立的至少两个管路系统;其中,各管路系统包括第一支路和第二支路,第一支路与内环管道相连,第二支路与外环管道相连。本发明实施例提供的气体流量控制装置通过设置包括独立的至少两个管路系统,将不同的气体通过各自的管路系统通入至内环管道和外环管道后进行各自分配,根据工艺需求,调节各种气体的内环管道和外环管道的分配比,并且不同气体的内环管道和外环管道的分配调节互不干扰。因此本发明实施例提供的上述气体流量控制装置用于等离子体刻蚀时,可以很大程度提高刻蚀效果及刻蚀均一性。 | ||
搜索关键词: | 一种 气体 流量 控制 装置 等离子体 刻蚀 设备 | ||
【主权项】:
1.一种气体流量控制装置,包括内环管道和外环管道;其特征在于,还包括独立的至少两个管路系统;其中,各所述管路系统包括第一支路和第二支路,所述第一支路与所述内环管道相连,所述第二支路与所述外环管道相连;其中,所述第一支路包括:第一进气管路,连接在所述内环管道与所述第一进气管路之间的第一小流量管路,连接在所述内环管道与所述第一进气管路之间的第一大流量管路,设置在所述第一小流量管路上的第一流量控制器和设置在所述第一大流量管路上的第二流量控制器;所述第二支路包括:第二进气管路、连接在所述外环管道与所述第二进气管路之间的第二小流量管路,连接在所述外环管道与所述第二进气管路之间的第二大流量管路,设置在所述第二小流量管路上的第一流量控制器和设置在所述第二大流量管路上的第二流量控制器;其中,所述第一进气管路和所述第二进气管路为同一进气管路;所述第一小流量管路和所述第二小流量管路通过同一管路与进气管路相连;所述第一大流量管路和所述第二大流量管路通过同一管路与进气管路相连。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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