[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。提供了具有改善的击穿电压和减小的耐压泄漏电流的高度可靠的半导体器件。中间电阻场板包括第一中间电阻场板和多个第二中间电阻场板，所述第一中间电阻场板的一端耦合到内周侧电阻场板，另一端耦合到外周侧电阻场板。第一中间电阻场板具有平面图案，所述平面图案配备有多个第一部分，所述多个第一部分在将所述内周侧电阻场板与所述外周侧电阻场板连接的第一方向上彼此分离并且在与所述第一方向正交的第二方向上直线延伸，并且所述平面图案沿着所述第二方向重复往复。所述第二中间电阻场板均与所述第一部分的一侧的第一端部连接并且具有曲率地延伸。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底在平面图中具有正方形形状；有源部，所述有源部设置在所述半导体衬底的中央部；外围部，所述外围部设置在所述有源部周围；以及电阻场板，所述电阻场板设置在所述外围部中并且包围所述有源部，其中，所述电阻场板包括：内周侧电阻场板，所述内周侧电阻场板包围所述有源部；外周侧电阻场板，所述外周侧电阻场板在与所述内周侧电阻场板分离的同时，设置在比所述内周侧电阻场板的一侧更靠近所述半导体衬底的外周的一侧，并且包围所述有源部；以及中间电阻场板，所述中间电阻场板设置在所述内周侧电阻场板和所述外周侧电阻场板之间，并且将所述内周侧电阻场板电耦合到所述外周侧电阻场板，其中，所述中间电阻场板包括：第一中间电阻场板；以及多个第二中间电阻场板，其中，所述第一中间电阻场板在其一端耦合到所述内周侧电阻场板，并且在所述第一中间电阻场板的另一端耦合到所述外周侧电阻场板，其中，所述第一中间电阻场板具有平面图案，所述平面图案配备有多个第一部分，所述多个第一部分在将所述内周侧电阻场板与所述外周侧电阻场板连接的第一方向上彼此分离，并且在与所述第一方向正交的第二方向上延伸，并且所述平面图案沿着所述第二方向重复往复，以及其中，所述第二中间电阻场板每一个都与所述第一部分的一侧的第一端部连接并且具有曲率地延伸。