[发明专利]一种三维花状钴纳米片葡萄糖电化学传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710060956.4 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN106872537B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 习玲玲;王腾飞;王建黎 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 唐银益;李亦慈 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维花状钴纳米片葡萄糖电化学传感器及其制备方法，传感器主要包括玻碳电极、玻碳电极表面的聚芳醚酮‑苯并咪唑(PAEK‑BI)高分子聚合物模板和载体膜、负载于聚芳醚酮‑苯并咪唑(PAEK‑BI)高分子聚合物模板和载体膜上的具高电催化活性的三维花状结构的钴纳米片薄膜，本发明制备的三维花状钴纳米片修饰层所采用的方法是经钴离子预先富集到电极表面后的原位电化学还原沉积法，该方法操作简单，条件可控，可重复程度高；制得的电活性钴纳米材料呈花瓣状纳米片结构，花状钴纳米片在电极表面分布均匀，不发生团聚，且与电极表面结合牢固。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 花状钴 纳米 葡萄糖 电化学传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维花状钴纳米片葡萄糖电化学传感器(4)，其特征在于，所述的传感器主要包括玻碳电极(1)、玻碳电极(1)表面的聚芳醚酮‑苯并咪唑PAEK‑BI高分子聚合物模板载体膜(2)、负载于聚芳醚酮‑苯并咪唑PAEK‑BI高分子聚合物模板载体膜(2)上的具有高电催化活性的三维花状结构的钴纳米片薄膜(3)，所述的三维花状钴纳米片葡萄糖电化学传感器(4)的制备方法，先将硫酸钴前驱溶液中的钴离子预富集到聚芳醚酮‑苯并咪唑PAEK‑BI高分子聚合物模板载体膜(2)上，然后再原位电化学还原，制备得到的还原态钴经在强碱性介质NaOH溶液中电化学氧化后，得到钴的两种高价氧化物CoOOH和CoO2，该两种高价钴氧化物同时对葡萄糖有较高的电催化活性，从而扩宽了三维花状钴纳米片葡萄糖电化学传感器应用时的电化学活性窗口。
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