[发明专利]标准硅工艺下的高响应度光电三极管

摘要

标准硅工艺下的高响应度光电三极管，涉及光电三极管。自下而上设有七层，第一层为轻掺杂的P衬底，第二层为P阱和N阱，第三层为金属Al、N+、P+层，第四层为二氧化硅绝缘介质层、第五层为二氧化硅绝缘介质层、第六层为二氧化硅绝缘介质层，第七层为Si3N4表面钝化层。从低成本角度出发，采用0.25μm Si标准工艺。建立在纵向PNP型三极管基础之上，与商业的Si标准工艺完全兼容的用于光电集成的高响应度光电三极管及其制备方法。设计光电三极管的思路则是建立在纵向PNP型三极管基础之上，基于0.25μmSi标准工艺进行了结构建模和特性仿真，根据仿真结果进行优化设计最终确定流片的光电三极管结构。

主权项

标准硅工艺下的高响应度光电三极管，其特征在于自下而上设有七层，第一层为轻掺杂的P衬底，第二层为P阱和N阱，第三层为金属Al、N+、P+层，第四层为二氧化硅绝缘介质层、第五层为二氧化硅绝缘介质层、第六层为二氧化硅绝缘介质层，第七层为Si3N4表面钝化层。